Магнитната памет е на път да нагорещи пазара

---

Всички запаметяващи устройства за компютри имат недостатъци. Твърдите дискове са с огромен капацитет, но в сравнение със силициевата памет са невероятно бавни, ненадеждни и консумират много електроенергия. SRAM паметта няма нужда от много енергия и е много бърза, но е доста по-скъпа в сравнение с DRAM и трудно се произвежда в големи размери. DRAM е по-ненаситна на електроенергия и е по-бавна от SRAM, но за сметка на това е далеч по-евтина. Общото между тези два вида памет е, че те губят съдържанието си, когато електрозахранването бъде прекъснато. Flash паметта не прави така, но е с ограничен срок на експлоатация, не е евтина и приема данни много бавно.
Въпреки огромните успехи на индустрията за компютърна памет, не спира търсенето на технология наследник, която да компенсира недостатъците на съществуващите видове памет и да има свои собствени предимства.
Отколешен съперник на изброените по-горе видове памет е MRAM (Magnetic Random Access Memory, магнитна памет със случаен достъп), която е обект на разработка в лабораториите от около тридесет години. Въпреки така дългото й “вътрешноутробно” развитие много от компаниите, които работят върху нея (Motorola, IBM, HP, NEC) и други големи доставчици на памет обещават да пуснат първите модели MRAM през идната година. Motorola вече охарактеризира MRAM като “универсална” поради потенциалните й възможности да замести всички останали видове памет.
Всички памети работят, като сменят дълговременното състояние на електрическа верига с краткосрочен сигнал. При DRAM и Flash паметта сигналът представлява електрически заряд, който може да бъде прочетен. SRAM използва сигнал за активиране на един или два транзистора. При DRAM зарядът не спира да “изтича” и трябва да бъде непрекъснато проверяван и при необходимост компенсиран. SRAM пък забравя кой транзистор е бил включен веднага щом електрозахранването бъде прекратено. Flash паметта притежава много по-добри възможности за поддържане на заряда, отколкото DRAM, но, от друга страна, тя е много по-обемиста и е нужно много по-дълго време за първоначално установяване на заряда. При MRAM, подобно на магнитните ленти или дискове, сигналът установява магнитно състояние на единицата памет, което се запазва за неопределено време, без да е необходимо електрозахранване за неговата поддръжка.
MRAM се прави от слоеве от магнитни метални сплави, разположени в подобна на сандвич конструкция, между два реда проводници, като горният е под ъгъл деветдесет градуса спрямо долния. Сигналът тече едновременно през горните и долните проводници. Местата, където проводниците се пресичат, се намагнитизират. Ако между проводниците има подходящ магнитен материал, неговото електрическо съпротивление зависи от степента на магнетизиране - това е тъй нареченият магниторезистивен ефект. Ето защо със същите проводници се измерва съпротивлението в точките на пресичане и по този начин се прочита съдържанието на паметта. От гледна точка на електрониката това е много просто, процесът протича за кратко време и се консумира много малко електроенергия - идеални характеристики за компютърна памет.